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- UV LED线光源和UV汞灯管之间的区别[2021-03-03 08:14:41]
- III- V族金属氮化物基 半导体非常适合制造UV辐射源。 以 AlGaInN 为例，在室温下，随着各组分比例的变化，复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED的有源层仅由GaN或 AlGaN 组
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